Качество и скоростные показатели флеш-памяти постоянно растут и японские ученые сделали еще один шаг в усовершенствовании технологии. Японским специалистам удалось улучшить память по всем показателям. Новые чипы памяти стали занимать меньше места, потреблять меньше энергии и выдерживать больше циклов записи-чтения.
Новый тип флеш-памяти является ферроэлектрическим и позволяет снять ограничения, присущие современным чипам памяти, средний срок службы которых оценивается в 10 лет, а перезаписать одну ячейку можно только около 10 тысяч раз. Размеры чипов уменьшены по сравнению с современными с 20 до 10 нанометров, так что при тех же размерах памяти будет в два раза больше. Пока что новинка еще находится в стадии доработки, но ученые надеются, что новый тип памяти получит широкое распространение в самых разных мобильных устройствах.